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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFL024NTR
International Rectifier
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AUIRFL024NTR - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRFL024NTR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFL024NTR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AUIRFL024 - 55V-60V N-CHANNEL AU
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-261-4, TO-261AA
Datenblatt
AUIRFL024NTR.pdf
vorrätig: 4490

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFL024NTR Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRFL024NTR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRFL024NTR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-223  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRFL024NTR.

Produkteigenschaften AUIRFL024NTR AUIRFN7110TR AUIRFL024N AUIRFP064N
Artikelnummer AUIRFL024NTR AUIRFN7110TR AUIRFL024N AUIRFP064N
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta) 58A (Tc) 2.8A (Ta) 110A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 400 pF @ 25 V 3050 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V 4000 pF @ 25 V
Serie HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V 18.3 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-261-4, TO-261AA 8-PowerTDFN TO-261-4, TO-261AA TO-247-3
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 1W (Ta) 4.3W (Ta), 125W (Tc) 1W (Ta) 200W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 55 V 100 V 55 V 55 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75mOhm @ 2.8A, 10V 14.5mOhm @ 35A, 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V 8mOhm @ 59A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse SOT-223 8-PQFN (5x6) SOT-223 TO-247AC
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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