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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFN7110TR
Infineon Technologies
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AUIRFN7110TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFN7110TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFN7110TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 58A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
AUIRFN7110TR.pdf
vorrätig: 4750

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Spezifikation

AUIRFN7110TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFN7110TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFN7110TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 35A, 10V  
Verlustleistung (max) 4.3W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFN7110  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFN7110TR.

Produkteigenschaften AUIRFN7110TR AUIRFP4110 AUIRFP1405 AUIRFL024N
Artikelnummer AUIRFN7110TR AUIRFP4110 AUIRFP1405 AUIRFL024N
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verlustleistung (max) 4.3W (Ta), 125W (Tc) 370W (Tc) 310W (Tc) 1W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 58A (Tc) 120A (Tc) 95A (Tc) 2.8A (Ta)
Grundproduktnummer AUIRFN7110 AUIRFP4110 - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3050 pF @ 25 V 9620 pF @ 50 V 5600 pF @ 25 V 400 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 55 V 55 V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount
Serie Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN TO-247-3 TO-247-3 TO-261-4, TO-261AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5mOhm @ 35A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V 75mOhm @ 2.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 18.3 nC @ 10 V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) TO-247AC TO-247AC SOT-223
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel

AUIRFN7110TR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFN7110TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFN7110TR - Infineon Technologies herunter.

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