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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFP2907
International Rectifier
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AUIRFP2907 - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRFP2907
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFP2907
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
AUIRFP2907.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7795

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFP2907 Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRFP2907 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRFP2907

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 125A, 10V  
Verlustleistung (max) 470W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRFP2907.

Produkteigenschaften AUIRFP2907 AUIRFR1010Z AUIRFN8405TR AUIRFP1405
Artikelnummer AUIRFP2907 AUIRFR1010Z AUIRFN8405TR AUIRFP1405
Hersteller International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13000 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 5142 pF @ 25 V 5600 pF @ 25 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 125A, 10V 7.5mOhm @ 42A, 10V 2mOhm @ 50A, 10V 5.3mOhm @ 95A, 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-247AC D-PAK (TO-252AA) PQFN (5x6) TO-247AC
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 8-PowerTDFN TO-247-3
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 470W (Tc) 140W (Tc) 3.3W (Ta), 136W (Tc) 310W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 100µA 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 620 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 117 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 55 V 40 V 55 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 90A (Tc) 42A (Tc) 95A (Tc) 95A (Tc)

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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