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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysAUIRFN8459TR
Infineon Technologies
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AUIRFN8459TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFN8459TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFN8459TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
AUIRFN8459TR.pdf
RoHS Status
vorrätig: 29945

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFN8459TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFN8459TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFN8459TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 40A, 10V  
Leistung - max 50W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer AUIRFN8459  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFN8459TR.

Produkteigenschaften AUIRFN8459TR AUIRFN8458TR AUIRFP2907 AUIRFP4110
Artikelnummer AUIRFN8459TR AUIRFN8458TR AUIRFP2907 AUIRFP4110
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Leistung - max 50W 34W (Tc) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40V 40V 75 V 100 V
Grundproduktnummer AUIRFN8459 AUIRFN8458 - AUIRFP4110
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) PQFN (5x6) TO-247AC TO-247AC
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 50A 43A (Tc) 90A (Tc) 120A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V 33nC @ 10V 620 nC @ 10 V 210 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 40A, 10V 10mOhm @ 26A, 10V 4.5mOhm @ 125A, 10V 4.5mOhm @ 75A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 50µA 3.9V @ 25µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V 1060pF @ 25V 13000 pF @ 25 V 9620 pF @ 50 V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN TO-247-3 TO-247-3
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) - -

AUIRFN8459TR Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFN8459TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFN8459TR - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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