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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFS8409-7TRL
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

AUIRFS8409-7TRL - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFS8409-7TRL
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFS8409-7TRL
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Datenblatt
AUIRFS8409-7TRL.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9690

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFS8409-7TRL Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFS8409-7TRL Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFS8409-7TRL

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13975 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRF8409  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFS8409-7TRL.

Produkteigenschaften AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSL3206 AUIRFSA8409-7P
Artikelnummer AUIRFS8409-7TRL AUIRFS8409TRL AUIRFSL3206 AUIRFSA8409-7P
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 60 V 40 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Grundproduktnummer AUIRF8409 AUIRF8409 - AUIRFSA8409
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA 3.9V @ 250µA 4V @ 150µA 3.9V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 460 nC @ 10 V 450 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 523A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.75mOhm @ 100A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 0.69mOhm @ 100A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK (7-Lead) PG-TO263-3 TO-262 PG-TO263-7
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13975 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V 13975 pF @ 25 V

AUIRFS8409-7TRL Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFS8409-7TRL PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFS8409-7TRL - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Design/Spezifikation
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PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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