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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFSL8407
Infineon Technologies
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AUIRFSL8407 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFSL8407
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFSL8407
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 195A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
AUIRFSL8407.pdf
RoHS Status
vorrätig: 8633

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFSL8407 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFSL8407 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFSL8407

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc)  
Grundproduktnummer AUIRFSL8407  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFSL8407.

Produkteigenschaften AUIRFSL8407 AUIRFSL8405 AUIRFU540Z AUIRFS8409-7TRL
Artikelnummer AUIRFSL8407 AUIRFSL8405 AUIRFU540Z AUIRFS8409-7TRL
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7330 pF @ 25 V 5193 pF @ 25 V 1690 pF @ 25 V 13975 pF @ 25 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Paket Tube Bulk Tube Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 163W (Tc) 91W (Tc) 375W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 100 V 40 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 I-PAK D2PAK (7-Lead)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 150µA 3.9V @ 100µA 4V @ 50µA 3.9V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer AUIRFSL8407 - - AUIRF8409
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 28.5mOhm @ 21A, 10V 0.75mOhm @ 100A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 161 nC @ 10 V 59 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 195A (Tc) 120A (Tc) 35A (Tc) 240A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

AUIRFSL8407 Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFSL8407 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFSL8407 - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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