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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFSL8403
International Rectifier
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AUIRFSL8403 - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRFSL8403
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFSL8403
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 123A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
AUIRFSL8403.pdf
vorrätig: 49110

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Spezifikation

AUIRFSL8403 Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRFSL8403 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRFSL8403

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 70A, 10V  
Verlustleistung (max) 99W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3183 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 123A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRFSL8403.

Produkteigenschaften AUIRFSL8403 AUIRFU4292 AUIRFSL3206 AUIRFU4104
Artikelnummer AUIRFSL8403 AUIRFU4292 AUIRFSL3206 AUIRFU4104
Hersteller International Rectifier International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 5V @ 50µA 4V @ 150µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 99W (Tc) 100W (Tc) 300W (Tc) 140W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse TO-262 I-PAK TO-262 PG-TO-251-3-21
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 250 V 60 V 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 170 nC @ 10 V 89 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3183 pF @ 25 V 705 pF @ 25 V 6540 pF @ 50 V 2950 pF @ 25 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Bulk Bulk Bulk Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 123A (Tc) 9.3A (Tc) 120A (Tc) 42A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 70A, 10V 345mOhm @ 5.6A, 10V 3mOhm @ 75A, 10V 5.5mOhm @ 42A, 10V

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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