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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFSL8405
International Rectifier
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AUIRFSL8405 - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
AUIRFSL8405
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFSL8405
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 120A TO262
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
AUIRFSL8405.pdf
vorrätig: 3910

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFSL8405 Tech -Spezifikationen
International Rectifier - AUIRFSL8405 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - AUIRFSL8405

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-262  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 163W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5193 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier AUIRFSL8405.

Produkteigenschaften AUIRFSL8405 AUIRFSL4310 AUIRFZ24NS AUIRFU8405
Artikelnummer AUIRFSL8405 AUIRFSL4310 AUIRFZ24NS AUIRFU8405
Hersteller International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 161 nC @ 10 V 250 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 155 nC @ 10 V
Paket Bulk Bulk Tube Bulk
Supplier Device-Gehäuse TO-262 TO-262 D-PAK (TO-252AA) I-PAK
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5193 pF @ 25 V 7670 pF @ 50 V 370 pF @ 25 V 5171 pF @ 25 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3mOhm @ 100A, 10V 7mOhm @ 75A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V 1.98mOhm @ 90A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 163W (Tc) 300W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 163W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tc) 75A (Tc) 17A (Tc) 100A (Tc)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 100 V 55 V 40 V

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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