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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelAUIRFU540Z
Infineon Technologies
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AUIRFU540Z - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
AUIRFU540Z
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-AUIRFU540Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
AUIRFU540Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4320

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Anzahl

Spezifikation

AUIRFU540Z Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - AUIRFU540Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - AUIRFU540Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 91W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies AUIRFU540Z.

Produkteigenschaften AUIRFU540Z AUIRFZ24NS AUIRFZ48Z AUIRFSL8403
Artikelnummer AUIRFU540Z AUIRFZ24NS AUIRFZ48Z AUIRFSL8403
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 17A (Tc) 61A (Tc) 123A (Tc)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Verlustleistung (max) 91W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc) 91W (Tc) 99W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse I-PAK D-PAK (TO-252AA) TO-220 TO-262
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 55 V 55 V 40 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5mOhm @ 21A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V 11mOhm @ 37A, 10V 3.3mOhm @ 70A, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V 1720 pF @ 25 V 3183 pF @ 25 V
Paket Tube Tube Bulk Bulk

AUIRFU540Z Datenblatt PDF

Laden Sie AUIRFU540Z PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für AUIRFU540Z - Infineon Technologies herunter.

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