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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC12DN20NS3GATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC12DN20NS3GATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC12DN20NS3GATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC12DN20NS3GATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 43850

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Anzahl

Spezifikation

BSC12DN20NS3GATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC12DN20NS3GATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 50W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC12DN20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC12DN20NS3GATMA1.

Produkteigenschaften BSC12DN20NS3GATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC152N10NSFG
Artikelnummer BSC12DN20NS3GATMA1 BSC146N10LS5ATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 BSC152N10NSFG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Verlustleistung (max) 50W (Tc) 2.5W (Ta), 52W (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) 114W (Tc)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Grundproduktnummer BSC12DN20 BSC146 BSC123 -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11.3A (Tc) 44A (Tc) 11A (Ta), 55A (Tc) 9.4A (Ta), 63A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 100 V 1300 pF @ 50 V 1870 pF @ 40 V 1900 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125mOhm @ 5.7A, 10V 14.6mOhm @ 22A, 10V 12.3mOhm @ 33A, 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 25µA 2.3V @ 23µA 3.5V @ 33µA 4V @ 72µA
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-5 PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 100 V 80 V 100 V
Serie OptiMOS™ OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™2

BSC12DN20NS3GATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC12DN20NS3GATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC12DN20NS3GATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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