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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelBSC146N10LS5ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

BSC146N10LS5ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC146N10LS5ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC146N10LS5ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 44A TDSON-8-6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
BSC146N10LS5ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 46240

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Anzahl

Spezifikation

BSC146N10LS5ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC146N10LS5ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC146N10LS5ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 23µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6  
Serie OptiMOS™ 5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 52W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc)  
Grundproduktnummer BSC146  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC146N10LS5ATMA1.

Produkteigenschaften BSC146N10LS5ATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC152N10NSFG
Artikelnummer BSC146N10LS5ATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 BSC123N10LSGATMA1 BSC152N10NSFG
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-6 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Tc) 8.8A (Ta), 42A (Tc) 10.6A (Ta), 71A (Tc) 9.4A (Ta), 63A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 2.3V @ 23µA 3.5V @ 33µA 2.4V @ 72µA 4V @ 72µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.6mOhm @ 22A, 10V 16mOhm @ 33A, 10V 12.3mOhm @ 50A, 10V 15.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Grundproduktnummer BSC146 BSC160 BSC123 -
Serie OptiMOS™ 5 OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™2
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 52W (Tc) 60W (Tc) 114W (Tc) 114W (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 50 V 1700 pF @ 50 V 4900 pF @ 50 V 1900 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 4.5V, 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 25 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V

BSC146N10LS5ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC146N10LS5ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC146N10LS5ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Mould Chgs 22/Jun/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Optimos Site/Mat Chgs 30/May/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Italien 5
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Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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