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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysBSC150N03LDGATMA1
Infineon Technologies
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BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
BSC150N03LDGATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-BSC150N03LDGATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
BSC150N03LDGATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 83110

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Anzahl

Spezifikation

BSC150N03LDGATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - BSC150N03LDGATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4  
Serie OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V  
Leistung - max 26W  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer BSC150  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies BSC150N03LDGATMA1.

Produkteigenschaften BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC12DN20NS3GATMA
Artikelnummer BSC150N03LDGATMA1 BSC150N03LD BSC155N06NDATMA1 BSC12DN20NS3GATMA
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 4V @ 20µA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A 8A 20A (Tc) -
Leistung - max 26W 26W 50W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.2nC @ 10V 6.4nC @ 10V 29nC @ 10V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Supplier Device-Gehäuse PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 PG-TDSON-8-4 -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 30V 60V -
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Grundproduktnummer BSC150 BSC150 BSC155 -
Serie OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™-T2 -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 15V 1100pF @ 15V 2250pF @ 30V -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V 15mOhm @ 20A, 10V 15.5mOhm @ 17A, 10V -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) -

BSC150N03LDGATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie BSC150N03LDGATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für BSC150N03LDGATMA1 - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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