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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIAUS300N08S5N012ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IAUS300N08S5N012ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IAUS300N08S5N012ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IAUS300N08S5N012ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 300A HSOG-8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSMD, Gull Wing
Datenblatt
IAUS300N08S5N012ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 6695

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Spezifikation

IAUS300N08S5N012ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IAUS300N08S5N012ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IAUS300N08S5N012ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOG-8-1  
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 375W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSMD, Gull Wing  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16250 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300A (Tc)  
Grundproduktnummer IAUS300  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IAUS300N08S5N012ATMA1.

Produkteigenschaften IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1
Artikelnummer IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 60 V 60 V 80 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16250 pF @ 40 V 2200 pF @ 30 V 1112.1 pF @ 30 V 9264 pF @ 40 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 7V, 10V 6V, 10V
Verlustleistung (max) 375W (Tc) 71W (Tc) 42W (Tc) 230W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IAUS300 IAUZ40 - IAUT240
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 10.2mOhm @ 20A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V
Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 OptiMOS™-5
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerSFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 231 nC @ 10 V 30.5 nC @ 10 V 16.3 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 300A (Tc) 40A (Tj) 47A (Tj) 240A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA 3.4V @ 29µA 3.4V @ 13µA 3.8V @ 160µA
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOG-8-1 PG-TSDSON-8-33 PG-TDSON-8-33 PG-HSOF-8-1

IAUS300N08S5N012ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IAUS300N08S5N012ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IAUS300N08S5N012ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
OPTIMOS Assembly/DS Chgs 2/Jul/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
IAUy300 DS Rev 2/Jun/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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