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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IAUT240N08S5N019ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IAUT240N08S5N019ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IAUT240N08S5N019ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerSFN
Datenblatt
IAUT240N08S5N019ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 18038

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Spezifikation

IAUT240N08S5N019ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IAUT240N08S5N019ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IAUT240N08S5N019ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 160µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1  
Serie OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V  
Verlustleistung (max) 230W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9264 pF @ 40 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc)  
Grundproduktnummer IAUT240  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IAUT240N08S5N019ATMA1.

Produkteigenschaften IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1
Artikelnummer IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse PG-HSOF-8-1 PG-TSDSON-8-33 PG-HSOG-8-1 PG-HSOF-8-1
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 240A (Tc) 40A (Tj) 300A (Tc) 260A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130 nC @ 10 V 30.5 nC @ 10 V 231 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V 60 V 80 V 100 V
Verlustleistung (max) 230W (Tc) 71W (Tc) 375W (Tc) 300W (Tc)
Serie OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™-5
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Grundproduktnummer IAUT240 IAUZ40 IAUS300 IAUT260
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V - 6V, 10V 6V, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V 5mOhm @ 20A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerSFN 8-PowerTDFN 8-PowerSMD, Gull Wing 8-PowerSFN
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 9264 pF @ 40 V 2200 pF @ 30 V 16250 pF @ 40 V 11830 pF @ 50 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 160µA 3.4V @ 29µA 3.8V @ 275µA 3.8V @ 210µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IAUT240N08S5N019ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IAUT240N08S5N019ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IAUT240N08S5N019ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
OPTIMOS Assembly/DS Chgs 2/Jul/2020.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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