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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIAUZ40N06S5N050ATMA1
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IAUZ40N06S5N050ATMA1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IAUZ40N06S5N050ATMA1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON-8-33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IAUZ40N06S5N050ATMA1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 90550

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Spezifikation

IAUZ40N06S5N050ATMA1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IAUZ40N06S5N050ATMA1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IAUZ40N06S5N050ATMA1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 29µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-33  
Serie OptiMOS™-5  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 71W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 30 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tj)  
Grundproduktnummer IAUZ40  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IAUZ40N06S5N050ATMA1.

Produkteigenschaften IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1
Artikelnummer IAUZ40N06S5N050ATMA1 IAUT240N08S5N019ATMA1 IAUT260N10S5N019ATMA1 IAUS300N08S5N012ATMA1
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerSFN 8-PowerSFN 8-PowerSMD, Gull Wing
Supplier Device-Gehäuse PG-TSDSON-8-33 PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8-1 PG-HSOG-8-1
Grundproduktnummer IAUZ40 IAUT240 IAUT260 IAUS300
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.5 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 166 nC @ 10 V 231 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 OptiMOS™-5 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 80 V 100 V 80 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 30 V 9264 pF @ 40 V 11830 pF @ 50 V 16250 pF @ 40 V
Verlustleistung (max) 71W (Tc) 230W (Tc) 300W (Tc) 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 20A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.9mOhm @ 100A, 10V 1.2mOhm @ 100A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.4V @ 29µA 3.8V @ 160µA 3.8V @ 210µA 3.8V @ 275µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tj) 240A (Tc) 260A (Tc) 300A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IAUZ40N06S5N050ATMA1 Datenblatt PDF

Laden Sie IAUZ40N06S5N050ATMA1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IAUZ40N06S5N050ATMA1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mutl Dev DS Rev 1/Dec/2021.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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