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IR2117PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2117PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2117PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 14610

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Anzahl

Spezifikation

IR2117PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2117PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2117PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR2117  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2117PBF.

Produkteigenschaften IR2117PBF IR2114SSPBF IR2117STRPBF IR2118STR
Artikelnummer IR2117PBF IR2114SSPBF IR2117STRPBF IR2118STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 24ns, 7ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Anzahl der Treiber 1 2 1 1
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Grundproduktnummer IR2117 IR2114 IR2117 IR2118
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 0.8V, 2V 6V, 9.5V 6V, 9.5V
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Ladestrom Single Independent Single Single
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Angetriebene Konfiguration High-Side Half-Bridge High-Side High-Side
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300", 7.62mm) 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 2A, 3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 24-SSOP 8-SOIC 8-SOIC

IR2117PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2117PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2117PBF - Infineon Technologies herunter.

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PCN -Baugruppe/Herkunft
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Datenblätter
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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