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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2117SPBF
IR2117SPBF Image
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IR2117SPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2117SPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2117SPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 27697

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Anzahl

Spezifikation

IR2117SPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2117SPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2117SPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR2117  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2117SPBF.

Produkteigenschaften IR2117SPBF IR2117STRPBF IR2118 IR2114SS
Artikelnummer IR2117SPBF IR2117STRPBF IR2118 IR2114SS
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Serie - - - -
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2V
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 2A, 3A
Ladestrom Single Single Single Independent
Anzahl der Treiber 1 1 1 2
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 24-SSOP (0.209', 5.30mm Width)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT
Grundproduktnummer IR2117 IR2117 IR2118 IR2114
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP 24-SSOP
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side Half-Bridge
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 24ns, 7ns
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IR2117SPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2117SPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2117SPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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