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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR2118
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IR2118 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2118
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2118
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
vorrätig: 12410

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Anzahl

Spezifikation

IR2118 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2118 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2118

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR2118  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2118.

Produkteigenschaften IR2118 IR2117 IR2118STR IR2117STR
Artikelnummer IR2118 IR2117 IR2118STR IR2117STR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side High-Side
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC 8-SOIC
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Grundproduktnummer IR2118 IR2117 IR2118 IR2117
Ladestrom Single Single Single Single
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V

IR2118 Datenblatt PDF

Laden Sie IR2118 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2118 - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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