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IR2113STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2113STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2113STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13653

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Anzahl

Spezifikation

IR2113STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2113STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2113STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer IR2113  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2113STRPBF.

Produkteigenschaften IR2113STRPBF IR2113PBF IR2112STRPBF IR21141SSPBF
Artikelnummer IR2113STRPBF IR2113PBF IR2112STRPBF IR21141SSPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2V
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - -
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge High-Side or Low-Side Half-Bridge
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 14-DIP (0.300', 7.62mm) 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 2A, 2A 2A, 2A 250mA, 500mA 2A, 3A
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 25ns, 17ns 25ns, 17ns 80ns, 40ns 24ns, 7ns
Spannungsversorgung 3.3V ~ 20V 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V 11.5V ~ 20V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 14-DIP 16-SOIC 24-SSOP
Grundproduktnummer IR2113 IR2113 IR2112 IR21141

IR2113STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2113STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2113STRPBF - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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