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IR2118STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2118STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2118STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf
RoHS Status
vorrätig: 23844

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Spezifikation

IR2118STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2118STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2118STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 10V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V  
Eingabetyp Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR2118  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2118STRPBF.

Produkteigenschaften IR2118STRPBF IR2117SPBF IR2121 IR2118PBF
Artikelnummer IR2118STRPBF IR2117SPBF IR2121 IR2118PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Ladestrom Single Single Single Single
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 43ns, 26ns 80ns, 40ns
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V - 600 V
Eingabetyp Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Grundproduktnummer IR2118 IR2117 IR2121 IR2118
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A 250mA, 500mA
Serie - - - -
Spannungsversorgung 10V ~ 20V 10V ~ 20V 12V ~ 18V 10V ~ 20V
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side Low-Side High-Side
Logikspannung - VIL, VIH 6V, 9.5V 6V, 9.5V 0.8V, 2.2V 6V, 9.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-PDIP 8-PDIP
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IR2118STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2118STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2118STRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
IR2117(S)/IR2118(S) (PbF).pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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