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IR2125 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2125
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2125
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
IR2125STRPBF Datasheet.pdf
vorrätig: 16390

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Spezifikation

IR2125 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2125 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2125

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 0V ~ 18V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 43ns, 26ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.6A, 3.3A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR2125  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2125.

Produkteigenschaften IR2125 IR2118STRPBF IR21271 IR2121PBF
Artikelnummer IR2125 IR2118STRPBF IR21271 IR2121PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-SOIC 8-PDIP 8-PDIP
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side High-Side or Low-Side Low-Side
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 6V, 9.5V 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 0V ~ 18V 10V ~ 20V 9V ~ 20V 12V ~ 18V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 600 V -
Ladestrom Single Single Single Single
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.6A, 3.3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm)
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Serie - - - -
Grundproduktnummer IR2125 IR2118 IR21271 IR2121
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 43ns, 26ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 43ns, 26ns
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Eingabetyp Non-Inverting Inverting Non-Inverting Non-Inverting

IR2125 Datenblatt PDF

Laden Sie IR2125 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2125 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
HTML -Datenblatt
IR2125STRPBF Datasheet.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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