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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR21271
IR21271 Image
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IR21271 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR21271
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR21271
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRV HI-SIDE/LO-SIDE 8DIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-DIP (0.300', 7.62mm)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 11420

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Spezifikation

IR21271 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR21271 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR21271

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 9V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Through Hole  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR21271  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR21271.

Produkteigenschaften IR21271 IR21271PBF IR2122 IR21271SPBF
Artikelnummer IR21271 IR21271PBF IR2122 IR21271SPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-PDIP 8-PDIP 8-PDIP 8-SOIC
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 130mA, 130mA 250mA, 500mA
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Spannungsversorgung 9V ~ 20V 9V ~ 20V 13V ~ 20V 9V ~ 20V
Verpackung / Gehäuse 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-DIP (0.300", 7.62mm) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Ladestrom Single Single Single Single
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Inverting Non-Inverting
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 250ns, 250ns 80ns, 40ns
Grundproduktnummer IR21271 IR21271 IR2122 IR21271
Serie - - - -
Paket Tube Tube Tube Tube
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side High-Side or Low-Side
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)

IR21271 Datenblatt PDF

Laden Sie IR21271 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR21271 - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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