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IR2125STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR2125STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR2125STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)
Datenblatt
IR2125STRPBF Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12074

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Anzahl

Spezifikation

IR2125STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR2125STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR2125STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 0V ~ 18V  
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 43ns, 26ns  
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.6A, 3.3A  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR2125  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR2125STRPBF.

Produkteigenschaften IR2125STRPBF IR2127 IR21271SPBF IR2125S
Artikelnummer IR2125STRPBF IR2127 IR21271SPBF IR2125S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 16-SOIC 8-PDIP 8-SOIC 16-SOIC
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Angetriebene Konfiguration High-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Spannungsversorgung 0V ~ 18V 12V ~ 20V 9V ~ 20V 0V ~ 18V
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 43ns, 26ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 43ns, 26ns
Verpackung / Gehäuse 16-SOIC (0.295', 7.50mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Grundproduktnummer IR2125 IR2127 IR21271 IR2125
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 500 V 600 V 600 V 500 V
Ladestrom Single Single Single Single
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 1.6A, 3.3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
Paket Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube

IR2125STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR2125STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR2125STRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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