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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberIR21271S
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IR21271S - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR21271S
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR21271S
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
vorrätig: 13130

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Spezifikation

IR21271S Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR21271S Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR21271S

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 9V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR21271  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR21271S.

Produkteigenschaften IR21271S IR2125SPBF IR2127 IR2128S
Artikelnummer IR21271S IR2125SPBF IR2127 IR2128S
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 500 V 600 V 600 V
Grundproduktnummer IR21271 IR2125 IR2127 IR2128
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 16-SOIC 8-PDIP 8-SOIC
Spannungsversorgung 9V ~ 20V 0V ~ 18V 12V ~ 20V 12V ~ 20V
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V 0.8V, 3V 0.8V, 3V
Serie - - - -
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Anzahl der Treiber 1 1 1 1
Paket Tube Tube Tube Tube
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side High-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Ladestrom Single Single Single Single
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Inverting
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 43ns, 26ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 8-DIP (0.300', 7.62mm) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount

IR21271S Datenblatt PDF

Laden Sie IR21271S PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR21271S - Infineon Technologies herunter.

Andere verwandte Dokumente
Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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