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IR21271STRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IR21271STRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IR21271STRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 25839

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Anzahl

Spezifikation

IR21271STRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IR21271STRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IR21271STRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
Spannungsversorgung 9V ~ 20V  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 1  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V  
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA  
Ladestrom Single  
Grundproduktnummer IR21271  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IR21271STRPBF.

Produkteigenschaften IR21271STRPBF IR2127STRPBF IR2128STRPBF IR2130
Artikelnummer IR21271STRPBF IR2127STRPBF IR2128STRPBF IR2130
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Logikspannung - VIL, VIH 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 28-DIP (0.600", 15.24mm)
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Inverting Inverting
Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 28-PDIP
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Serie - - - -
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 35ns
Angetriebene Konfiguration High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side High-Side or Low-Side Half-Bridge
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 600 V 600 V 600 V 600 V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA 250mA, 500mA
Anzahl der Treiber 1 1 1 6
Ladestrom Single Single Single 3-Phase
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Grundproduktnummer IR21271 IR2127 IR2128 IR2130
Spannungsversorgung 9V ~ 20V 12V ~ 20V 12V ~ 20V 10V ~ 20V

IR21271STRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IR21271STRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IR21271STRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Part Number Guide.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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