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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6691TRPBF
Infineon Technologies
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IRF6691TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6691TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6691TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MT
Datenblatt
IRF6691(TR)PbF.pdf
vorrätig: 5230

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Spezifikation

IRF6691TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6691TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6691TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MT  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MT  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6580 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6691TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6691TRPBF IRF6709S2TRPBF IRF6691TR1PBF IRF6678TR1PBF
Artikelnummer IRF6691TRPBF IRF6709S2TRPBF IRF6691TR1PBF IRF6678TR1PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 15A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 71 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 71 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MT DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 32A (Ta), 180A (Tc) 12A (Ta), 39A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6580 pF @ 10 V 1010 pF @ 13 V 6580 pF @ 10 V 5640 pF @ 15 V
Vgs (Max) ±12V ±20V ±12V ±20V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 25 V 20 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.35V @ 25µA 2.5V @ 250µA 2.25V @ 250µA

IRF6691TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6691TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6691TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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