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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6678TRPBF
Infineon Technologies
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IRF6678TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6678TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6678TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric MX
Datenblatt
IRF6678TRPBF.pdf
vorrätig: 4660

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Spezifikation

IRF6678TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6678TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6678TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6678TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6678TRPBF IRF6710S2TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6678
Artikelnummer IRF6678TRPBF IRF6710S2TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6678
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 150A (Tc) 12A (Ta), 37A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 30A (Ta), 150A (Tc)
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 71 nC @ 4.5 V 65 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5640 pF @ 15 V 1190 pF @ 13 V 6580 pF @ 10 V 5640 pF @ 15 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 20 V 30 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Supplier Device-Gehäuse DIRECTFET™ MX DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MT DIRECTFET™ MX
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric MX DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric MX
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 2.4V @ 25µA 2.5V @ 250µA 2.25V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 1.8W (Ta), 15W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V 5.9mOhm @ 12A, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 2.2mOhm @ 30A, 10V

IRF6678TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6678TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6678TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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