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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF6710S2TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRF6710S2TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF6710S2TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF6710S2TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric S1
Datenblatt
IRF6710S2TRPBF.pdf
vorrätig: 5390

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Spezifikation

IRF6710S2TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF6710S2TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF6710S2TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric S1  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 12A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 15W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric S1  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF6710S2TRPBF.

Produkteigenschaften IRF6710S2TRPBF IRF6706S2TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6709S2TRPBF
Artikelnummer IRF6710S2TRPBF IRF6706S2TR1PBF IRF6691TRPBF IRF6709S2TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.9mOhm @ 12A, 10V 3.8mOhm @ 17A, 10V 1.8mOhm @ 15A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 37A (Tc) 17A (Ta), 63A (Tc) 32A (Ta), 180A (Tc) 12A (Ta), 39A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V 71 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.5V @ 250µA 2.35V @ 25µA
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 15W (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) 1.8W (Ta), 21W (Tc)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric MT DirectFET™ Isometric S1
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 20 V 25 V
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric S1 DirectFET™ Isometric S1 DIRECTFET™ MT DirectFET™ Isometric S1
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±20V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 13 V 1810 pF @ 13 V 6580 pF @ 10 V 1010 pF @ 13 V

IRF6710S2TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF6710S2TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF6710S2TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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