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IRF7104PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7104PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7104PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7104PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4050

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Spezifikation

IRF7104PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7104PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7104PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF71  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7104PBF.

Produkteigenschaften IRF7104PBF IRF7103TRPBF IRF7103Q IRF7105PBF
Artikelnummer IRF7104PBF IRF7103TRPBF IRF7103Q IRF7105PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A 3A 3A 3.5A, 2.3A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 30nC @ 10V 15nC @ 10V 27nC @ 10V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
Leistung - max 2W 2W 2.4W 2W
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 50V 50V 25V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V 290pF @ 25V 255pF @ 25V 330pF @ 15V

IRF7104PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7104PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7104PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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