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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7104TRPBF
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IRF7104TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7104TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7104TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7104TRPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 76770

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Spezifikation

IRF7104TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7104TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7104TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF71  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7104TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7104TRPBF IRF7103QTRPBF IRF7105QTRPBF IRF7103TRPBF
Artikelnummer IRF7104TRPBF IRF7103QTRPBF IRF7105QTRPBF IRF7103TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal Logic Level Gate - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 50V 25V 50V
Leistung - max 2W 2.4W 2W 2W
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Serie HEXFET® - - HEXFET®
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 15V 255pF @ 25V 330pF @ 15V 290pF @ 25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.3A 3A 3.5A, 2.3A 3A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V 15nC @ 10V 27nC @ 10V 30nC @ 10V

IRF7104TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7104TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7104TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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