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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7105QTRPBF
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IRF7105QTRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7105QTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7105QTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7105QPbF.pdf
vorrätig: 5410

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Spezifikation

IRF7105QTRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7105QTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7105QTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer IRF71  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7105QTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7105QTRPBF IRF7104TRPBF IRF7105PBF IRF7104PBF
Artikelnummer IRF7105QTRPBF IRF7104TRPBF IRF7105PBF IRF7104PBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V 290pF @ 15V 330pF @ 15V 290pF @ 15V
Serie - HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 25nC @ 10V 27nC @ 10V 25nC @ 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - Logic Level Gate - Logic Level Gate
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A, 2.3A 2.3A 3.5A, 2.3A 2.3A
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 20V 25V 20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tube Tube
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V

IRF7105QTRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7105QTRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7105QTRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF7105QPbF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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