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IRF7105PBF Image
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IRF7105PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7105PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7105PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7105PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4090

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Anzahl

Spezifikation

IRF7105PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7105PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7105PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A, 2.3A  
Konfiguration N and P-Channel  
Grundproduktnummer IRF71  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7105PBF.

Produkteigenschaften IRF7105PBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF IRF7105TRPBF
Artikelnummer IRF7105PBF IRF7105QTRPBF IRF7104PBF IRF7105TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration N and P-Channel N and P-Channel 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A, 2.3A 3.5A, 2.3A 2.3A 3.5A, 2.3A
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 20V 25V
Leistung - max 2W 2W 2W 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Grundproduktnummer IRF71 IRF71 IRF71 IRF71
FET-Merkmal - - Logic Level Gate -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 330pF @ 15V 330pF @ 15V 290pF @ 15V 330pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V 27nC @ 10V 25nC @ 10V 27nC @ 10V
Paket Tube Cut Tape (CT) Tube Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

IRF7105PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7105PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7105PBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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