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IRF7313TRPBF Image
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IRF7313TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7313TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7313TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7313TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 67030

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Anzahl

Spezifikation

IRF7313TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7313TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7313TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7313TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7313TRPBF IRF7314PBF IRF7313PBF IRF7313TRPBF-1
Artikelnummer IRF7313TRPBF IRF7314PBF IRF7313PBF IRF7313TRPBF-1
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 30V 30V
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Leistung - max 2W 2W 2W 2W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 29nC @ 4.5V 33nC @ 10V 33nC @ 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A 5.3A 6.5A 6.5A (Ta)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 15V 650pF @ 25V 650pF @ 25V
FET-Merkmal - Logic Level Gate - -
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SOIC

IRF7313TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7313TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7313TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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