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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7314PBF
International Rectifier
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IRF7314PBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF7314PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7314PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
P-CHANNEL POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7314PBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4150

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Anzahl

Spezifikation

IRF7314PBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF7314PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF7314PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V  
Leistung - max 2W  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF7314PBF.

Produkteigenschaften IRF7314PBF IRF7314QTRPBF IRF7314TRPBF IRF7313TRPBF
Artikelnummer IRF7314PBF IRF7314QTRPBF IRF7314TRPBF IRF7313TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
FET-Merkmal Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 2W 2.4W 2W 2W
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Serie HEXFET® - HEXFET® HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 58mOhm @ 5.2A, 4.5V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 30V
Paket Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V 33nC @ 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 15V 913pF @ 15V 780pF @ 15V 650pF @ 25V
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.3A 5.2A 5.3A 6.5A
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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