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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysIRF7313TRPBF-1
IRF7313TRPBF-1 Image
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IRF7313TRPBF-1 - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7313TRPBF-1
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7313TRPBF-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 8-SOIC
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7313PbF-1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4630

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Anzahl

Spezifikation

IRF7313TRPBF-1 Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7313TRPBF-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7313TRPBF-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V  
Leistung - max 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta)  
Konfiguration 2 N-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF731  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7313TRPBF-1.

Produkteigenschaften IRF7313TRPBF-1 IRF7314PBF IRF7314QTRPBF IRF7314TRPBF
Artikelnummer IRF7313TRPBF-1 IRF7314PBF IRF7314QTRPBF IRF7314TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V 20V 20V 20V
Leistung - max 2W (Ta) 2W 2.4W 2W
Konfiguration 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Paket Tape & Reel (TR) Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer IRF731 IRF731 IRF731 IRF731
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A (Ta) 5.3A 5.2A 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 58mOhm @ 5.2A, 4.5V 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 15V 913pF @ 15V 780pF @ 15V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V 29nC @ 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC 8-SO 8-SO 8-SO
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
FET-Merkmal - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate

IRF7313TRPBF-1 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7313TRPBF-1 PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7313TRPBF-1 - Infineon Technologies herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 9/Apr/2020.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Site Add 28/Aug/2020.pdf
Datenblätter
IRF7313PbF-1.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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