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IRF7555TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7555TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7555TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7555PbF.pdf
vorrätig: 4200

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Spezifikation

IRF7555TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7555TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7555TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V  
Leistung - max 1.25W  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1066pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A  
Konfiguration 2 P-Channel (Dual)  
Grundproduktnummer IRF7555  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7555TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7555TRPBF IRF7530TR IRF7555TR IRF7530TRPBF
Artikelnummer IRF7555TRPBF IRF7530TR IRF7555TR IRF7530TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.3A 5.4A 4.3A 5.4A
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA 1.2V @ 250µA
Grundproduktnummer IRF7555 IRF7530 IRF7555 IRF7530
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Leistung - max 1.25W 1.3W 1.25W 1.3W
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1066pF @ 10V 1310pF @ 15V 1066pF @ 10V 1310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 5V 26nC @ 4.5V 15nC @ 5V 26nC @ 4.5V
FET-Merkmal Logic Level Gate - Logic Level Gate -
Konfiguration 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 30mOhm @ 5.4A, 4.5V 55mOhm @ 4.3A, 4.5V 30mOhm @ 5.4A, 4.5V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

IRF7555TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7555TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7555TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Datenblätter
IRF7555PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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