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IRF7603TR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7603TR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7603TR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7603.pdf
vorrätig: 4820

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Anzahl

Spezifikation

IRF7603TR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7603TR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7603TR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7603TR.

Produkteigenschaften IRF7603TR IRF7606TR IRF7580MTRPBF IRF7604TRPBF
Artikelnummer IRF7603TR IRF7606TR IRF7580MTRPBF IRF7604TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 60 V 20 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 6510 pF @ 25 V 590 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 114A (Tc) 3.6A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 180 nC @ 10 V 20 nC @ 4.5 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - HEXFET® StrongIRFET™ HEXFET®
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V 3.6mOhm @ 70A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 3.7V @ 150µA 700mV @ 250µA (Min)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) DirectFET™ Isometric ME 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ DirectFET™ Isometric ME Micro8™

IRF7603TR Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7603TR PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7603TR - Infineon Technologies herunter.

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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