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IRF7603TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7603TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7603TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
Verpackung
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Datenblatt
IRF7603PbF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3810

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Spezifikation

IRF7603TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7603TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7603TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse Micro8™  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7603TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7603TRPBF IRF7606TR IRF7601TR IRF7604TR
Artikelnummer IRF7603TRPBF IRF7606TR IRF7601TR IRF7604TR
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520 pF @ 25 V 520 pF @ 25 V 650 pF @ 15 V 590 pF @ 15 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Serie HEXFET® HEXFET® - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.6A (Ta) 3.6A (Ta) 5.7A (Ta) 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 3.7A, 10V 90mOhm @ 2.4A, 10V 35mOhm @ 3.8A, 4.5V 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 22 nC @ 4.5 V 20 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 20 V 20 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Supplier Device-Gehäuse Micro8™ Micro8™ Micro8™ Micro8™
FET-Merkmal - - - -

IRF7603TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7603TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7603TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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