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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7779L2TRPBF
Infineon Technologies
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IRF7779L2TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7779L2TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7779L2TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
Verpackung
DirectFET™ Isometric L8
Datenblatt
IRF7779L2TRPBF.pdf
RoHS Status
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 11603

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Spezifikation

IRF7779L2TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7779L2TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7779L2TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric L8  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6660 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF7779  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7779L2TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7779L2TRPBF IRF7759L2TRPBF IRF7769L1TRPBF IRF7799L2TRPBF
Artikelnummer IRF7779L2TRPBF IRF7759L2TRPBF IRF7769L1TRPBF IRF7799L2TRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Grundproduktnummer IRF7779 - IRF7769 -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 67A (Tc) 26A (Ta), 375A (Tc) 20A (Ta), 124A (Tc) 35A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6660 pF @ 25 V 12222 pF @ 25 V 11560 pF @ 25 V 6714 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V 75 V 100 V 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 165 nC @ 10 V
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 40A, 10V 2.3mOhm @ 96A, 10V 3.5mOhm @ 74A, 10V 38mOhm @ 21A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc)

IRF7779L2TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7779L2TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7779L2TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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