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IRF7805ATR - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7805ATR
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7805ATR
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
IRF7805ATR.pdf
vorrätig: 4380

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Spezifikation

IRF7805ATR Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7805ATR Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7805ATR

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7805ATR.

Produkteigenschaften IRF7805ATR IRF7759L2TRPBF IRF7805QTRPBF IRF7805ATRPBF
Artikelnummer IRF7805ATR IRF7759L2TRPBF IRF7805QTRPBF IRF7805ATRPBF
Hersteller Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±12V ±20V - ±12V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 3.3W (Ta), 125W (Tc) - 2.5W (Ta)
FET-Merkmal - - - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 13A (Ta) 26A (Ta), 375A (Tc) 13A (Ta) 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 7A, 4.5V 2.3mOhm @ 96A, 10V 11mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse 8-SO DirectFET™ Isometric L8 8-SO 8-SO
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) DirectFET™ Isometric L8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 5 V 300 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 75 V 30 V 30 V
Serie HEXFET® HEXFET® - HEXFET®
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 10V - 4.5V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF7805ATR Datenblatt PDF

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IR Part Numbering System.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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