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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7780MTRPBF
International Rectifier
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IRF7780MTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRF7780MTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7780MTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IRF7780 - 12V-300V N-CHANNEL POW
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric ME
Datenblatt
IRF7780MTRPBF.pdf
vorrätig: 4800

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Anzahl

Spezifikation

IRF7780MTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRF7780MTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRF7780MTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric ME  
Serie StrongIRFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 53A, 10V  
Verlustleistung (max) 96W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric ME  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6504 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 89A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRF7780MTRPBF.

Produkteigenschaften IRF7780MTRPBF IRF7779L2TRPBF IRF7805ATRPBF IRF7805QTRPBF
Artikelnummer IRF7780MTRPBF IRF7779L2TRPBF IRF7805ATRPBF IRF7805QTRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric ME DirectFET™ Isometric L8 8-SO 8-SO
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6504 pF @ 25 V 6660 pF @ 25 V - -
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric ME DirectFET™ Isometric L8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Serie StrongIRFET™ HEXFET® HEXFET® -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 96W (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 10V 4.5V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 150 V 30 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 53A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 3.7V @ 150µA 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 89A (Tc) 67A (Tc) 13A (Ta) 13A (Ta)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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