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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF7799L2TRPBF
Infineon Technologies
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IRF7799L2TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRF7799L2TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRF7799L2TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
DirectFET™ Isometric L8
Datenblatt
IRF7799L2TRPBF.pdf
vorrätig: 5440

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Spezifikation

IRF7799L2TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRF7799L2TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRF7799L2TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric L8  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 21A, 10V  
Verlustleistung (max) 4.3W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L8  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6714 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRF7799L2TRPBF.

Produkteigenschaften IRF7799L2TRPBF IRF7805ATR IRF7805TRPBF IRF7805APBF
Artikelnummer IRF7799L2TRPBF IRF7805ATR IRF7805TRPBF IRF7805APBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V 4.5V 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse DirectFET™ Isometric L8 8-SO 8-SO 8-SO
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V 30 V 30 V 30 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tube
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6714 pF @ 25 V - - -
Vgs (Max) ±30V ±12V ±12V ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse DirectFET™ Isometric L8 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 4.3W (Ta), 125W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 165 nC @ 10 V 31 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 35A (Tc) 13A (Ta) 13A (Ta) 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 38mOhm @ 21A, 10V 11mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA

IRF7799L2TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRF7799L2TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRF7799L2TRPBF - Infineon Technologies herunter.

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