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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH3702TR2PBF
Infineon Technologies
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IRFH3702TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH3702TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH3702TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH3702TR2PBF.pdf
Unsere Zertifizierung
vorrätig: 3790

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Spezifikation

IRFH3702TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH3702TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH3702TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3x3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 42A (Tc)  

Umwelt- und Exportklassifikationen

ATTRIBUT BESCHREIBUNG
RoHS Status
Feuchtigkeitsempfindlichkeit (MSL) 1 (Unlimited)
Status erreichen REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH3702TR2PBF IRFH3702TRPBF IRFH4209DTRPBF IRFH4210DTRPBF
Artikelnummer IRFH3702TR2PBF IRFH3702TRPBF IRFH4209DTRPBF IRFH4210DTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA 2.1V @ 100µA
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V 7.1mOhm @ 16A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 15 V 1510 pF @ 15 V 4620 pF @ 13 V 4812 pF @ 13 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 14 nC @ 4.5 V 74 nC @ 10 V 77 nC @ 10 V
Serie - HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET®
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3x3) 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 42A (Tc) 16A (Ta), 42A (Tc) 44A (Ta), 260A (Tc) 44A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 25 V 25 V
FET-Merkmal - - - -

IRFH3702TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH3702TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH3702TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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