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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH4210DTRPBF
International Rectifier
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IRFH4210DTRPBF - International Rectifier

Hersteller Artikelnummer
IRFH4210DTRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH4210DTRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
HEXFET POWER MOSFET
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH4210DTRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 32397

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Spezifikation

IRFH4210DTRPBF Tech -Spezifikationen
International Rectifier - IRFH4210DTRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie International Rectifier - IRFH4210DTRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4812 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Ta)  
Grundproduktnummer IRFH4210  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie International Rectifier IRFH4210DTRPBF.

Produkteigenschaften IRFH4210DTRPBF IRFH3702TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH4226TRPBF
Artikelnummer IRFH4210DTRPBF IRFH3702TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH4226TRPBF
Hersteller International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Paket Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 44A (Ta) 16A (Ta), 42A (Tc) 41A (Ta) 30A (Ta), 70A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 125W (Tc) 2.8W (Ta) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 3.4W (Ta), 46W (Tc)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4812 pF @ 13 V 1510 pF @ 15 V 3420 pF @ 13 V 2000 pF @ 13 V
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6)
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA 2.1V @ 50µA
Grundproduktnummer IRFH4210 IRFH3702 - IRFH4226
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1mOhm @ 50A, 10V 7.1mOhm @ 16A, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V 2.4mOhm @ 30A, 10V
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 77 nC @ 10 V 14 nC @ 4.5 V 54 nC @ 10 V 32 nC @ 10 V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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