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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH4201TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH4201TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH4201TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH4201TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH4201TRPBF.pdf
vorrätig: 4900

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Spezifikation

IRFH4201TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH4201TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH4201TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 156W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH4201TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH4201TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4210DTRPBF IRFH4234TRPBF
Artikelnummer IRFH4201TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4210DTRPBF IRFH4234TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94 nC @ 10 V 8.1 nC @ 4.5 V 77 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.95mOhm @ 50A, 10V 12.4mOhm @ 12A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V 4.6mOhm @ 30A
Verlustleistung (max) 3.5W (Ta), 156W (Tc) 2.8W (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc) 3.5W (Ta), 27W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 30 V 25 V 25 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 150µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA 2.1V @ 25µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6100 pF @ 13 V 755 pF @ 15 V 4812 pF @ 13 V 1011 pF @ 13 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 49A (Ta) 12A (Ta), 29A (Tc) 44A (Ta) 22A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) PQFN (5x6)

IRFH4201TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH4201TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH4201TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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