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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH3702TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH3702TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH3702TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH3702TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
IRFH3702TRPBF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 168780

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Anzahl

Spezifikation

IRFH3702TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH3702TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH3702TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3x3)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V  
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 42A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH3702  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH3702TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH3702TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4210TRPBF
Artikelnummer IRFH3702TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4210TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6) 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6)
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 16A (Ta), 42A (Tc) 41A (Ta) 12A (Ta), 29A (Tc) 45A (Ta)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 2.8W (Ta) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 2.8W (Ta) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 25 V 30 V 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 16A, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V 12.4mOhm @ 12A, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA
Grundproduktnummer IRFH3702 - IRFH3707 -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V 54 nC @ 10 V 8.1 nC @ 4.5 V 74 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1510 pF @ 15 V 3420 pF @ 13 V 755 pF @ 15 V 4812 pF @ 13 V

IRFH3702TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH3702TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH3702TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf
PCN -Verpackung
Packing Material Update 16/Sep/2016.pdf Mult Dev Lot No Format Chg 6/Apr/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Alternate Assembly Site 05/Feb/2014.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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