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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH4213TRPBF
Infineon Technologies
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IRFH4213TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH4213TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH4213TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 41A PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH4213TRPBF.pdf
vorrätig: 4680

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Spezifikation

IRFH4213TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH4213TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH4213TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 89W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3420 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH4213TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH4213TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4209DTRPBF
Artikelnummer IRFH4213TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH3707TRPBF IRFH4209DTRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3420 pF @ 13 V 6100 pF @ 13 V 755 pF @ 15 V 4620 pF @ 13 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 8.1 nC @ 4.5 V 74 nC @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 41A (Ta) 49A (Ta) 12A (Ta), 29A (Tc) 44A (Ta), 260A (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Supplier Device-Gehäuse PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (3x3) PQFN (5x6)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie HEXFET® HEXFET® HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35mOhm @ 50A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V 12.4mOhm @ 12A, 10V 1.1mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 3.5W (Ta), 156W (Tc) 2.8W (Ta) 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 30 V 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 100µA 2.1V @ 150µA 2.35V @ 25µA 2.1V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

IRFH4213TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH4213TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH4213TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Barcode Label Update 24/Feb/2017.pdf
Umweltinformationen
PQFN 5x6 RoHS Compliance.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf

Lieferung

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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