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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH4226TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH4226TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH4226TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH4226TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 30A/70A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH4226PbF.pdf
vorrätig: 3910

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Spezifikation

IRFH4226TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH4226TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH4226TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie FASTIRFET™, HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.4W (Ta), 46W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 13 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 70A (Tc)  
Grundproduktnummer IRFH4226  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH4226TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH4226TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH4210TRPBF
Artikelnummer IRFH4226TRPBF IRFH4213TRPBF IRFH4201TRPBF IRFH4210TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V 25 V 25 V 25 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta), 70A (Tc) 41A (Ta) 49A (Ta) 45A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 2.1V @ 50µA 2.1V @ 100µA 2.1V @ 150µA 2.1V @ 100µA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer IRFH4226 - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000 pF @ 13 V 3420 pF @ 13 V 6100 pF @ 13 V 4812 pF @ 13 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie FASTIRFET™, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 30A, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V 0.95mOhm @ 50A, 10V 1.35mOhm @ 50A, 10V
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 3.4W (Ta), 46W (Tc) 3.6W (Ta), 89W (Tc) 3.5W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 94 nC @ 10 V 74 nC @ 10 V

IRFH4226TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH4226TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH4226TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multi Mosfet EOL 2/Mar/2016.pdf
Datenblätter
IRFH4226PbF.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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