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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7110TR2PBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7110TR2PBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7110TR2PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7110TR2PBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-TQFN Exposed Pad
Datenblatt
IRFH7110PbF.pdf
vorrätig: 4700

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7110TR2PBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7110TR2PBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7110TR2PBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V  
Verpackung / Gehäuse 8-TQFN Exposed Pad  
Paket Cut Tape (CT)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7110TR2PBF.

Produkteigenschaften IRFH7110TR2PBF IRFH7107TRPBF IRFH7184ATRPBF IRFH7110TRPBF
Artikelnummer IRFH7110TR2PBF IRFH7107TRPBF IRFH7184ATRPBF IRFH7110TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) - 8-PQFN (5x6)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V - 87 nC @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Ta), 58A (Tc) 14A (Ta), 75A (Tc) - 11A (Ta), 58A (Tc)
Serie - HEXFET® * HEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 35A, 10V 8.5mOhm @ 45A, 10V - 13.5mOhm @ 35A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel - N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-TQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN - 8-TQFN Exposed Pad
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA - 4V @ 100µA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3240 pF @ 25 V 3110 pF @ 25 V - 3240 pF @ 25 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 75 V - 100 V
Paket Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

IRFH7110TR2PBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7110TR2PBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7110TR2PBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 13/Nov/2013.pdf
Datenblätter
IRFH7110PbF.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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