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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRFH7107TRPBF
Infineon Technologies
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

IRFH7107TRPBF - Infineon Technologies

Hersteller Artikelnummer
IRFH7107TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Allelco Artikelnummer
32D-IRFH7107TRPBF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 14A/75A 8PQFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerTDFN
Datenblatt
IRFH7107PbF.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3750

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Anzahl

Spezifikation

IRFH7107TRPBF Tech -Spezifikationen
Infineon Technologies - IRFH7107TRPBF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Infineon Technologies - IRFH7107TRPBF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6)  
Serie HEXFET®  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 45A, 10V  
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3110 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 75A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Infineon Technologies IRFH7107TRPBF.

Produkteigenschaften IRFH7107TRPBF IRFH7004TR2PBF IRFH7184TRPBF IRFH7190TRPBF
Artikelnummer IRFH7107TRPBF IRFH7004TR2PBF IRFH7184TRPBF IRFH7190TRPBF
Hersteller Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 45A, 10V 1.4mOhm @ 100A, 10V 4.8mOhm @ 50A, 10V 7.5mOhm @ 49A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 194 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Serie HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET® FASTIRFET™, HEXFET®
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Paket Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 14A (Ta), 75A (Tc) 100A (Tc) 20A (Ta), 128A (Tc) 15A (Ta), 82A (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 75 V 40 V 100 V 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 3.9V @ 150µA 3.6V @ 150µA 3.6V @ 100µA
Supplier Device-Gehäuse 8-PQFN (5x6) 8-PQFN (5x6) PQFN (5x6) PQFN (5x6)
Verlustleistung (max) 3.6W (Ta), 104W (Tc) - 3.9W (Ta), 156W (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse 8-PowerTDFN 8-VQFN Exposed Pad 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3110 pF @ 25 V 6419 pF @ 25 V 2320 pF @ 50 V 1685 pF @ 50 V

IRFH7107TRPBF Datenblatt PDF

Laden Sie IRFH7107TRPBF PDF -Datenblätter und Infineon Technologies -Dokumentation für IRFH7107TRPBF - Infineon Technologies herunter.

PCN -Verpackung
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf Mult Dev Label Chgs 18/Feb/2020.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev No Format/Barcode Label 15/Jan/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Warehouse Transfer 29/Jul/2015.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 08/May/2019.pdf
Datenblätter
IRFH7107PbF.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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